有消息称，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片（BaseDie）为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，三星 ...